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一种原花青素B2分子印迹聚合物及其制备方法和应用[授权发明专利CN201610377672.3]_ebet

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一种原花青素B2分子印迹聚合物及其制备方法和应用[授权发明专利CN201610377672.3]

作者:ebet官网 来源:ebet官网    更新时间:2020-02-14 15:16:54    浏览:1415
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本发明属于分子印迹聚合物技术领域,具体涉及一种原花青素B2金属配位分子印迹聚合物及其制备方法和应用。本发明通过将原花青素B2、金属化合物与功能单体在溶剂中混合,再加入交联剂和引发剂,在保护气体中进行聚合反应,然后对聚合物进行洗脱、干燥后,获得原花青素B2金属配位分子印迹聚合物。并通过固相萃取,将制得的聚合物作为填料,用于原花青素B2快速、高效的分离纯化。本发明的制备方法简单、可靠,所得的分子印迹聚合物具有较强的特异选择性和较高的回收率,在原花青素的分离纯化领域应用前景广阔。

专利权人:ebet应用化学研究所

发明人:熊伟;李雄辉;王慧宾;付建平;韩晓丹;胡居吾;徐国良;邓朝阳

联系人:刘卓荣  电话:0791-8817700613177821807